FDS5672_F095
FDS5672_F095
Artikelnummer:
FDS5672_F095
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N-CH
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
69927 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
FDS5672_F095.pdf

Einführung

FDS5672_F095 bester Preis und schnelle Lieferung.
BOSER Technology ist der Distributor für FDS5672_F095, wir haben die Lagerbestände für den sofortigen Versand und auch für Langzeitbelieferung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für FDS5672_F095 per E-Mail, wir geben Ihnen den besten Preis entsprechend Ihres Plans.
Unsere E-Mail: [email protected]

Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:8-SO
Serie:PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:10 mOhm @ 12A, 10V
Verlustleistung (max):2.5W (Ta)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:2200pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:45nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):60V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 60V 12A (Tc) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

Schnell Angebot anfordern

Artikelnummer
Anzahl
Unternehmen
Email
Telefon
Bemerkung/Erläuterung