FCB20N60FTM
FCB20N60FTM
Artikelnummer:
FCB20N60FTM
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
59601 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
FCB20N60FTM.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:D²PAK
Serie:SuperFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:190 mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (max):208W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen:FCB20N60FTMTR
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:52 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:3080pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:98nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):600V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 600V 20A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount D²PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:20A (Tc)
Basisteilenummer:FCB20N60
Email:[email protected]

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