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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biased > EML20T2R
EML20T2R
EML20T2R
Artikelnummer:
EML20T2R
Hersteller:
LAPIS Semiconductor
Beschreibung:
TRANS PREBIAS NPN 0.15W
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
44048 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
EML20T2R.pdf
Anfrage

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ:NPN - Pre-Biased + Diode
Supplier Device-Gehäuse:EMT6
Serie:-
Widerstand - Emitterbasis (R2):47 kOhms
Widerstand - Basis (R1):2.2 kOhms
Leistung - max:150mW
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:SOT-563, SOT-666
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang:250MHz
detaillierte Beschreibung:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE:80 @ 10mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max):500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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