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Zuhause > Produkte > Integrierte schaltkreise (ICS) > Memory > EDB4416BBBH-1DIT-F-D
EDB4416BBBH-1DIT-F-D
Artikelnummer:
EDB4416BBBH-1DIT-F-D
Hersteller:
Micron Technology
Beschreibung:
IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
47449 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
EDB4416BBBH-1DIT-F-D.pdf
Anfrage

Einführung

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BOSER Technology ist der Distributor für EDB4416BBBH-1DIT-F-D, wir haben die Lagerbestände für den sofortigen Versand und auch für Langzeitbelieferung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für EDB4416BBBH-1DIT-F-D per E-Mail, wir geben Ihnen den besten Preis entsprechend Ihres Plans.
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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite:-
Spannungsversorgung:1.14 V ~ 1.95 V
Technologie:SDRAM - Mobile LPDDR2
Supplier Device-Gehäuse:134-FBGA (10x11.5)
Serie:-
Verpackung:Tray
Verpackung / Gehäuse:134-WFBGA
Betriebstemperatur:-40°C ~ 85°C (TC)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):3 (168 Hours)
Speichertyp:Volatile
Speichergröße:4Gb (256M x 16)
Speicherschnittstelle:Parallel
Speicherformat:DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung:SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel 533MHz 134-FBGA (10x11.5)
Uhrfrequenz:533MHz
Email:[email protected]

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