CY7C1312KV18-250BZXC
CY7C1312KV18-250BZXC
Artikelnummer:
CY7C1312KV18-250BZXC
Hersteller:
Cypress Semiconductor
Beschreibung:
IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
47806 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
CY7C1312KV18-250BZXC.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite:-
Spannungsversorgung:1.7 V ~ 1.9 V
Technologie:SRAM - Synchronous, QDR II
Supplier Device-Gehäuse:165-FBGA (13x15)
Serie:-
Verpackung:Tray
Verpackung / Gehäuse:165-LBGA
Andere Namen:428-3298
CY7C1312KV18-250BZXC-ND
CY7C1312KV18250BZXC
Betriebstemperatur:0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):3 (168 Hours)
Speichertyp:Volatile
Speichergröße:18Mb (1M x 18)
Speicherschnittstelle:Parallel
Speicherformat:SRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit:15 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung:SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 18Mb (1M x 18) Parallel 250MHz 165-FBGA (13x15)
Uhrfrequenz:250MHz
Basisteilenummer:CY7C1312
Email:[email protected]

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