BUK652R0-30C,127
BUK652R0-30C,127
Artikelnummer:
BUK652R0-30C,127
Hersteller:
NXP Semiconductors / Freescale
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Enthält Blei / RoHS nicht konform
Anzahl:
61551 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
BUK652R0-30C,127.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:2.8V @ 1mA
Vgs (Max):±16V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-220AB
Serie:TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:2.2 mOhm @ 25A, 10V
Verlustleistung (max):306W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-220-3
Andere Namen:568-7490-5
934064466127
BUK652R0-30C,127-ND
BUK652R030C127
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Contains lead / RoHS non-compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:14964pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:229nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):30V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 30V 120A (Tc) 306W (Tc) Through Hole TO-220AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

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