BSM080D12P2C008
BSM080D12P2C008
Artikelnummer:
BSM080D12P2C008
Hersteller:
LAPIS Semiconductor
Beschreibung:
SIC POWER MODULE-1200V-80A
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
76365 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
1.BSM080D12P2C008.pdf2.BSM080D12P2C008.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 13.2mA
Supplier Device-Gehäuse:Module
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:-
Leistung - max:600W
Verpackung:Tray
Verpackung / Gehäuse:Module
Betriebstemperatur:175°C (TJ)
Befestigungsart:Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:800pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:-
Typ FET:2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal:Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss):1200V (1.2kV)
detaillierte Beschreibung:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 80A (Tc) 600W Chassis Mount Module
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

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