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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-RF > A2T18S162W31GSR3
A2T18S162W31GSR3
Artikelnummer:
A2T18S162W31GSR3
Hersteller:
NXP Semiconductors / Freescale
Beschreibung:
IC TRANS RF LDMOS
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
71457 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
1.A2T18S162W31GSR3.pdf2.A2T18S162W31GSR3.pdf
Anfrage

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
Spannung - Prüfung:28V
Spannung - Nennwert:65V
Transistor-Typ:LDMOS
Supplier Device-Gehäuse:NI-780GS-2L2LA
Serie:-
Leistung:32W
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:NI-780GS-2L2LA
Andere Namen:935322254128
Rauschmaß:-
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Gewinnen:20.1dB
Frequenz:1.84GHz
detaillierte Beschreibung:RF Mosfet LDMOS 28V 1A 1.84GHz 20.1dB 32W NI-780GS-2L2LA
Aktuelle Bewertung:-
Strom - Test:1A
Email:[email protected]

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