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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-Bipolar (BJT)-Einzel > 2N2222AE3
2N2222AE3
Artikelnummer:
2N2222AE3
Hersteller:
Microsemi
Beschreibung:
SMALL-SIGNAL BJT
[LeadFreeStatus]未找到翻译
RoHS-konform
Anzahl:
93549 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
2N2222AE3.pdf
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Einführung

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BOSER Technology ist der Distributor für 2N2222AE3, wir haben die Lagerbestände für den sofortigen Versand und auch für Langzeitbelieferung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für 2N2222AE3 per E-Mail, wir geben Ihnen den besten Preis entsprechend Ihres Plans.
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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic:1V @ 50mA, 500mA
Transistor-Typ:NPN
Supplier Device-Gehäuse:TO-18
Serie:-
RoHS-Status:RoHS Compliant
Leistung - max:500mW
Verpackung / Gehäuse:TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Betriebstemperatur:-65°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Frequenz - Übergang:-
detaillierte Beschreibung:Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 800mA 500mW Through Hole TO-18
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE:100 @ 150mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max):50nA
Strom - Kollektor (Ic) (max):800mA
Email:[email protected]

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