| Stav | New and Original |
|---|---|
| Původ | Contact us |
| Distributor | Boser Technology |
| Napětí - Test: | 6550pF @ 25V |
| Napětí - Rozdělení: | TO-220AB |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 10.5 mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (Max): | 4.5V, 10V |
| Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Série: | TrenchFET® |
| Stav RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 85A (Tc) |
| Polarizace: | TO-220-3 |
| Ostatní jména: | SUP85N10-10-E3TR |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní číslo výrobce: | SUP85N10-10-E3 |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 160nC @ 10V |
| Typ IGBT: | ±20V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 3V @ 250µA |
| FET Feature: | N-Channel |
| Rozšířený popis: | N-Channel 100V 85A (Tc) 3.75W (Ta), 250W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | - |
| Popis: | MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 100V |
| kapacitní Ratio: | 3.75W (Ta), 250W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
