| състояние | New and Original |
|---|---|
| произход | Contact us |
| Дистрибутор | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 750mV @ 250µA |
| Vgs (макс): | ±5V |
| технология: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Пакет на доставчик на устройства: | 6-TSOP |
| серия: | TrenchFET® |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs: | 24 mOhm @ 7A, 4.5V |
| Разсейване на мощност (макс.): | 1.1W (Ta) |
| Опаковка: | Cut Tape (CT) |
| Пакет / касета: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Други имена: | SI3495DV-T1-E3CT |
| Работна температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтаж: | Surface Mount |
| Ниво на чувствителност към влага (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус за свободно състояние / състояние на RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Такса за захранване (Qg) (макс.) @ Vgs: | 38nC @ 4.5V |
| Тип FET: | P-Channel |
| FET Feature: | - |
| Захранващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): | 1.5V, 4.5V |
| Изтичане към източника на напрежение (Vdss): | 20V |
| Подробно описание: | P-Channel 20V 5.3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP |
| Текущ - непрекъснат дренаж (Id) @ 25 ° C: | 5.3A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
