Български език
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
За нас | Свържете се с нас | Заявете оферта |
У дома > Продукти > Интегрални схеми (интегрални схеми) > памет > MT29E2T08CTCBBJ7-6:B TR
MT29E2T08CTCBBJ7-6:B TR
Номер на частта:
MT29E2T08CTCBBJ7-6:B TR
Производител:
Micron Technology
описание:
IC FLASH 2T PARALLEL 167MHZ
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Без олово / RoHS съвместим
количество:
78458 Pieces
Време за доставка:
1-2 days
Информационен лист:
MT29E2T08CTCBBJ7-6:B TR.pdf
Разследване

Въведение

MT29E2T08CTCBBJ7-6:B TR най-добра цена и бърза доставка.
BOSER Technology е дистрибутор за MT29E2T08CTCBBJ7-6:B TR, ние имаме запаси за незабавно изпращане и също така на разположение за дълго време доставка. Моля, изпратете ни план за покупка за MT29E2T08CTCBBJ7-6:B TR по имейл, ние ще ви дадем най-добрата цена според вашия план.
Нашата електронна поща: [email protected]

Спецификации

състояние New and Original
произход Contact us
Дистрибутор Boser Technology
Пишете време за цикъл - Word, Page:-
Напрежение - Доставка:2.7 V ~ 3.6 V
технология:FLASH - NAND
серия:-
Опаковка:Tape & Reel (TR)
Други имена:MT29E2T08CTCBBJ7-6:B TR-ND
MT29E2T08CTCBBJ7-6:BTR
Работна температура:0°C ~ 70°C (TA)
Ниво на чувствителност към влага (MSL):3 (168 Hours)
Тип памет:Non-Volatile
Размер на паметта:2Tb (256G x 8)
Интерфейс на паметта:Parallel
Формат на паметта:FLASH
Статус за свободно състояние / състояние на RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Подробно описание:FLASH - NAND Memory IC 2Tb (256G x 8) Parallel 167MHz
Честота на часовника:167MHz
Email:[email protected]

Бързо заявка за оферта

Номер на частта
количество
Компания
Електронна поща
телефон
Коментари

Свързани части за MT29E2T08CTCBBJ7-6:B TR

Изображение Номер на частта Производители описание изглед
MT29E384G08EBHBBJ4-3ES:B TR Micron Technology IC FLASH 384G PARALLEL 333MHZ Разследване
MT29E1T208ECHBBJ4-3:B TR Micron Technology IC FLASH 1.125T PARALLEL 132VBGA Разследване
MT29E256G08CECBBH6-6:B TR Micron Technology IC FLASH 256G PARALLEL 167MHZ Разследване
MT29E3T08EQHBBG2-3:B Micron Technology IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ Разследване
MT29E2T08CUHBBM4-3:B Micron Technology IC FLASH 2T PARALLEL 333MHZ Разследване
MT29E256G08CECCBH6-6:C TR Micron Technology IC FLASH 256G PARALLEL 167MHZ Разследване
MT29E2T08CTCCBJ7-6:C Micron Technology IC FLASH 2T PARALLEL 167MHZ Разследване
MT29E2T08CUHBBM4-3:B TR Micron Technology IC FLASH 2T PARALLEL 333MHZ Разследване
MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B TR Micron Technology IC FLASH 1.125T PARALLEL 132VBGA Разследване
MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR Micron Technology IC FLASH 2T PARALLEL 333MHZ Разследване
MT29E384G08EBHBBJ4-3:B Micron Technology IC FLASH 384G PARALLEL 333MHZ Разследване
MT29E256G08CMCDBJ5-6:D TR Micron Technology IC FLASH 256G PARALLEL 132TBGA Разследване
MT29E384G08EBHBBJ4-3:B TR Micron Technology IC FLASH 384G PARALLEL 333MHZ Разследване
MT29E2T08CTCCBJ7-6:C TR Micron Technology IC FLASH 2T PARALLEL 167MHZ Разследване
MT29E3T08EQHBBG2-3ES:B Micron Technology IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ Разследване
MT29E256G08CBHBBJ4-3ES:B Micron Technology IC FLASH 256G PARALLEL 333MHZ Разследване
MT29E256G08CMCABJ2-10Z:A TR Micron Technology IC FLASH 256G PARALLEL 132VBGA Разследване
MT29E256G08CMCDBJ5-6:D Micron Technology IC FLASH 256G PARALLEL 132TBGA Разследване
MT29E256G08CMCABJ2-10Z:A Micron Technology IC FLASH 256G PARALLEL 132TBGA Разследване
MT29E256G08CECCBH6-6:C Micron Technology IC FLASH 256G PARALLEL 167MHZ Разследване

Latest News