MT53D512M64D4BP-046 WT ES:E TR - Micron Technology ذاكرة

MT53D512M64D4BP-046 WT ES:E TR

رقم القطعة:: MT53D512M64D4BP-046 WT ES:E TR

الصانع:: Micron Technology

وصف:: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

كمية:: 37055 Pieces

موعد التسليم:: 1-2 days

ورقة البيانات:: MT53D512M64D4BP-046 WT ES:E TR.pdf

تحقيق

المقدمة

أفضل سعر MT53D512M64D4BP-046 WT ES:E TR وسرعة التسليم.

BOSER Technology هو الموزع لـ MT53D512M64D4BP-046 WT ES:E TR ، لدينا مخزون للشحن الفوري ومتوفر أيضًا لفترة طويلة. الرجاء إرسال خطة الشراء الخاصة بك للحصول على MT53D512M64D4BP-046 WT ES:E TR عبر البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل سعر وفقًا لخطتك.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط	New and Original
الأصل	Contact us
موزع	Boser Technology
كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة:	-
الجهد - توريد:	1.1V
تكنولوجيا:	SDRAM - Mobile LPDDR4
سلسلة:	-
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
اسماء اخرى:	MT53D512M64D4BP-046 WT ES:E TR-ND MT53D512M64D4BP-046WTES:ETR
درجة حرارة التشغيل:	-30°C ~ 85°C (TC)
نوع الذاكرة:	Volatile
حجم الذاكرة:	32Gb (512M x 64)
واجهة الذاكرة:	-
تنسيق الذاكرة:	DRAM
حالة خالية من الرصاص:	Lead free
وصف تفصيلي:	SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 32Gb (512M x 64) 1866MHz
تردد على مدار الساعة:	1866MHz
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لMT53D512M64D4BP-046 WT ES:E TR

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
MT53D512M64D4HR-053 WT ES:D	Micron Technology	IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA	تحقيق
MT53D512M32D2NP-062 WT ES:D	Micron Technology	IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA	تحقيق
MT53D512M32D2NP-062 WT ES:D TR	Micron Technology	IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA	تحقيق
MT53D512M64D4CR-053 WT:D TR	Micron Technology	IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA	تحقيق
MT53D512M32D2NP-062 WT:D TR	Micron Technology	IC DRAM 16G 1600MHZ	تحقيق
MT53D512M64D4BP-046 WT ES:E	Micron Technology	IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA	تحقيق
MT53D512M32D2NP-062 WT:D	Micron Technology	IC DRAM 16G 1600MHZ	تحقيق
MT53D512M64D4HR-053 WT:D	Micron Technology	IC DRAM 32G 1866MHZ	تحقيق
MT53D512M32D2NP-046 WT:E TR	Micron Technology	IC SDRAM LPDDR4 16GBIT 512MX32 F	تحقيق
MT53D512M64D4CR-053 WT:D	Micron Technology	IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA	تحقيق
MT53D512M64D4NW-046 WT ES:E	Micron Technology	IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA	تحقيق
MT53D512M32D2NP-053 WT:D TR	Micron Technology	IC DRAM 16G 1866MHZ	تحقيق
MT53D512M32D2NP-053 WT ES:D TR	Micron Technology	IC DRAM 16G 1866MHZ FBGA	تحقيق
MT53D512M32D2NP-053 WT:D	Micron Technology	IC DRAM 16G 1866MHZ	تحقيق
MT53D512M64D4NW-046 WT ES:D	Micron Technology	IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA	تحقيق
MT53D512M64D4BP-046 WT:E	Micron Technology	IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA	تحقيق
MT53D512M64D4BP-046 WT:E TR	Micron Technology	IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA	تحقيق
MT53D512M32D2NP-053 WT ES:D	Micron Technology	IC DRAM 16G 1866MHZ FBGA	تحقيق
MT53D512M64D4CR-053 WT ES:D TR	Micron Technology	IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA	تحقيق
MT53D512M64D4CR-053 WT ES:D	Micron Technology	IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار