MT52L512M32D2PF-093 WT ES:B TR - Micron Technology ذاكرة

MT52L512M32D2PF-093 WT ES:B TR

رقم القطعة:: MT52L512M32D2PF-093 WT ES:B TR

الصانع:: Micron Technology

وصف:: IC DRAM 16G 1067MHZ FBGA

[LeadFreeStatus]未找到翻译: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

كمية:: 50379 Pieces

موعد التسليم:: 1-2 days

ورقة البيانات:: MT52L512M32D2PF-093 WT ES:B TR.pdf

تحقيق

المقدمة

أفضل سعر MT52L512M32D2PF-093 WT ES:B TR وسرعة التسليم.

BOSER Technology هو الموزع لـ MT52L512M32D2PF-093 WT ES:B TR ، لدينا مخزون للشحن الفوري ومتوفر أيضًا لفترة طويلة. الرجاء إرسال خطة الشراء الخاصة بك للحصول على MT52L512M32D2PF-093 WT ES:B TR عبر البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل سعر وفقًا لخطتك.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط	New and Original
الأصل	Contact us
موزع	Boser Technology
كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة:	-
الجهد - توريد:	1.2V
تكنولوجيا:	SDRAM - Mobile LPDDR3
سلسلة:	-
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
اسماء اخرى:	MT52L512M32D2PF-093 WT ES:B TR-ND MT52L512M32D2PF-093WTES:BTR
درجة حرارة التشغيل:	-30°C ~ 85°C (TC)
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):	3 (168 Hours)
نوع الذاكرة:	Volatile
حجم الذاكرة:	16Gb (512M x 32)
واجهة الذاكرة:	-
تنسيق الذاكرة:	DRAM
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
وصف تفصيلي:	SDRAM - Mobile LPDDR3 Memory IC 16Gb (512M x 32) 1067MHz
تردد على مدار الساعة:	1067MHz
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لMT52L512M32D2PF-093 WT ES:B TR

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
MT52L512M32D2PF-093 WT:B	Micron Technology	IC DRAM 16G 1067MHZ FBGA	تحقيق
MT52L256M64D2QA-125 XT:B	Micron Technology	IC DRAM 16G 800MHZ FBGA	تحقيق
MT52L512M32D2PU-107 WT:B	Micron Technology	IC DRAM 16G 933MHZ FBGA	تحقيق
MT52L4DAPQ-DC	Micron Technology	SPECIAL/CUSTOM LPDDR3	تحقيق
MT52L512M64D4GN-107 WT:B TR	Micron Technology	IC DRAM 32G 933MHZ FBGA	تحقيق
MT52L4DAPQ-DC TR	Micron Technology	SPECIAL/CUSTOM LPDDR3	تحقيق
MT52L4DBPG-DC TR	Micron Technology	SPECIAL/CUSTOM LPDDR3	تحقيق
MT52L512M64D4GN-107 WT:B	Micron Technology	IC DRAM 32G 933MHZ FBGA	تحقيق
MT52L512M16D1PF-093 WT ES:B TR	Micron Technology	IC DRAM 8G 1067MHZ FBGA	تحقيق
MT52L512M32D2PF-107 WT:B	Micron Technology	IC DRAM 16G 933MHZ FBGA	تحقيق
MT52L512M32D2PF-107 WT:B TR	Micron Technology	IC DRAM 16G 933MHZ FBGA	تحقيق
MT52L256M64D2QB-125 XT ES:B	Micron Technology	IC DRAM 16G 800MHZ FBGA	تحقيق
MT52L4DAGN-DC	Micron Technology	SPECIAL/CUSTOM LPDDR3	تحقيق
MT52L512M64D4PQ-093 WT:B	Micron Technology	IC DRAM 32G 1067MHZ FBGA	تحقيق
MT52L512M64D4GN-107 WT ES:B TR	Micron Technology	IC DRAM 32G 933MHZ FBGA	تحقيق
MT52L512M32D2PF-093 WT:B TR	Micron Technology	IC DRAM 16G 1067MHZ FBGA	تحقيق
MT52L4DAGN-DC TR	Micron Technology	SPECIAL/CUSTOM LPDDR3	تحقيق
MT52L256M64D2QB-125 XT:B	Micron Technology	IC DRAM 16G 800MHZ FBGA	تحقيق
MT52L4DBPG-DC	Micron Technology	SPECIAL/CUSTOM LPDDR3	تحقيق
MT52L512M32D2PU-107 WT:B TR	Micron Technology	IC DRAM 16G 933MHZ FBGA	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار