MT46H256M32L4LE-48 WT:C - Micron Technology ذاكرة

MT46H256M32L4LE-48 WT:C

رقم القطعة:: MT46H256M32L4LE-48 WT:C

الصانع:: Micron Technology

وصف:: IC DRAM 8G PARALLEL 208MHZ

[LeadFreeStatus]未找到翻译: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

كمية:: 43356 Pieces

موعد التسليم:: 1-2 days

ورقة البيانات:: MT46H256M32L4LE-48 WT:C.pdf

تحقيق

المقدمة

أفضل سعر MT46H256M32L4LE-48 WT:C وسرعة التسليم.

BOSER Technology هو الموزع لـ MT46H256M32L4LE-48 WT:C ، لدينا مخزون للشحن الفوري ومتوفر أيضًا لفترة طويلة. الرجاء إرسال خطة الشراء الخاصة بك للحصول على MT46H256M32L4LE-48 WT:C عبر البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل سعر وفقًا لخطتك.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط	New and Original
الأصل	Contact us
موزع	Boser Technology
كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة:	14.4ns
الجهد - توريد:	1.7 V ~ 1.95 V
تكنولوجيا:	SDRAM - Mobile LPDDR
سلسلة:	-
اسماء اخرى:	MT46H256M32L4LE-48 WT:C-ND MT46H256M32L4LE-48WT:C
درجة حرارة التشغيل:	-25°C ~ 85°C (TA)
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):	3 (168 Hours)
نوع الذاكرة:	Volatile
حجم الذاكرة:	8Gb (256M x 32)
واجهة الذاكرة:	Parallel
تنسيق الذاكرة:	DRAM
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
وصف تفصيلي:	SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 8Gb (256M x 32) Parallel 208MHz 5.0ns
تردد على مدار الساعة:	208MHz
وقت الدخول:	5.0ns
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لMT46H256M32L4LE-48 WT:C

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
MT46H256M32L4JV-6 WT:B TR	Micron Technology	IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA	تحقيق
MT46H256M32L4JV-6 IT:A	Micron Technology	IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA	تحقيق
MT46H32M16LFBF-5 IT:B	Micron Technology	IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA	تحقيق
MT46H256M32L4JV-5 IT:B	Micron Technology	IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA	تحقيق
MT46H1DAMA-DC	Micron Technology	IC MOBILE DDR 1G 32MX32 FBGA	تحقيق
MT46H256M32L4JV-5 WT:B TR	Micron Technology	IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA	تحقيق
MT46H32M16LFBF-5 AIT:C TR	Micron Technology	IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA	تحقيق
MT46H256M32L4JV-5 IT:A	Micron Technology	IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA	تحقيق
MT46H256M32R4JV-5 WT:B	Micron Technology	IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA	تحقيق
MT46H256M32L4SA-48 WT:C	Micron Technology	IC DRAM 8G PARALLEL 168TFBGA	تحقيق
MT46H256M32L4JV-5 WT:B	Micron Technology	IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA	تحقيق
MT46H32M16LFBF-5 AIT:C	Micron Technology	IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA	تحقيق
MT46H1DBB5-DC	Micron Technology	IC MOBILE DDR 512M NAX16 FBGA	تحقيق
MT46H256M32R4JV-5 IT:B	Micron Technology	IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA	تحقيق
MT46H256M32R4JV-5 IT:B TR	Micron Technology	IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA	تحقيق
MT46H256M32R4JV-5 WT:B TR	Micron Technology	IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA	تحقيق
MT46H256M32L4JV-6 WT:B	Micron Technology	IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA	تحقيق
MT46H256M32L4JV-5 IT:B TR	Micron Technology	IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA	تحقيق
MT46H256M32L4SA-48 WT:C TR	Micron Technology	IC DRAM 8G PARALLEL 168TFBGA	تحقيق
MT46H256M32L4LE-48 WT:C TR	Micron Technology	IC DRAM 8G PARALLEL 168TFBGA	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار