MT44K32M36RCT-125 IT:A TR - Micron Technology ذاكرة

MT44K32M36RCT-125 IT:A TR

رقم القطعة:: MT44K32M36RCT-125 IT:A TR

الصانع:: Micron Technology

وصف:: IC DRAM 1.125G PARALLEL 800MHZ

[LeadFreeStatus]未找到翻译: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

كمية:: 62016 Pieces

موعد التسليم:: 1-2 days

ورقة البيانات:: MT44K32M36RCT-125 IT:A TR.pdf

تحقيق

المقدمة

أفضل سعر MT44K32M36RCT-125 IT:A TR وسرعة التسليم.

BOSER Technology هو الموزع لـ MT44K32M36RCT-125 IT:A TR ، لدينا مخزون للشحن الفوري ومتوفر أيضًا لفترة طويلة. الرجاء إرسال خطة الشراء الخاصة بك للحصول على MT44K32M36RCT-125 IT:A TR عبر البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل سعر وفقًا لخطتك.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط	New and Original
الأصل	Contact us
موزع	Boser Technology
كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة:	-
الجهد - توريد:	1.28 V ~ 1.42 V
تكنولوجيا:	DRAM
سلسلة:	-
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
اسماء اخرى:	MT44K32M36RCT-125 IT:A TR-ND MT44K32M36RCT-125IT:ATR
درجة حرارة التشغيل:	-40°C ~ 95°C (TC)
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):	3 (168 Hours)
نوع الذاكرة:	Volatile
حجم الذاكرة:	1.125Gb (32Mb x 36)
واجهة الذاكرة:	Parallel
تنسيق الذاكرة:	DRAM
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
وصف تفصيلي:	DRAM Memory IC 1.125Gb (32Mb x 36) Parallel 800MHz 12ns
تردد على مدار الساعة:	800MHz
وقت الدخول:	12ns
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لMT44K32M36RCT-125 IT:A TR

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
MT44K32M36RB-093E:A TR	Micron Technology	IC DRAM 1.125G PARALLEL 168BGA	تحقيق
MT44K32M36RCT-125E:A TR	Micron Technology	IC DRAM 1.125G PARALLEL 800MHZ	تحقيق
MT44K32M36RB-083F:A TR	Micron Technology	IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ	تحقيق
MT44K64M18RB-093F:A	Micron Technology	RLDRAM 3 1.125G 64MX18 TBGA	تحقيق
MT44K64M18RB-093E:A	Micron Technology	IC DRAM 1.125G PARALLEL 1067MHZ	تحقيق
MT44K32M36RB-093F:A	Micron Technology	IC DRAM 1.125G PARALLEL 1067MHZ	تحقيق
MT44K64M18RB-093F:A TR	Micron Technology	IC RLDRAM 1.125GBIT 1.067GHZ BGA	تحقيق
MT44K32M36RB-107E IT:A TR	Micron Technology	IC DRAM 1.125G PARALLEL 168BGA	تحقيق
MT44K64M18RB-083F:A TR	Micron Technology	IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ	تحقيق
MT44K32M36RB-107E:A TR	Micron Technology	IC DRAM 1.125G PARALLEL 168BGA	تحقيق
MT44K32M36RB-107E:A	Micron Technology	IC DRAM 1.125G PARALLEL 933MHZ	تحقيق
MT44K64M18RB-083F:A	Micron Technology	IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ	تحقيق
MT44K32M36RB-093E:A	Micron Technology	IC DRAM 1.125G PARALLEL 1067MHZ	تحقيق
MT44K32M36RB-093F:A TR	Micron Technology	IC DRAM 1.125G PARALLEL 168BGA	تحقيق
MT44K32M36RB-083F:A	Micron Technology	IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ	تحقيق
MT44K32M36RB-107E IT:A	Micron Technology	IC DRAM 1.125G PARALLEL 933MHZ	تحقيق
MT44K64M18RB-083E:A TR	Micron Technology	IC RLDRAM 3 1.125GBIT 64MX18 TBG	تحقيق
MT44K64M18RB-093E:A TR	Micron Technology	IC DRAM 1.125G PARALLEL 168BGA	تحقيق
MT44K32M36RCT-125:A TR	Micron Technology	IC DRAM 1.125G PARALLEL 168BGA	تحقيق
MT44K64M18RB-083E:A	Micron Technology	IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار