MT40A4G4FSE-083E:A TR - Micron Technology ذاكرة

MT40A4G4FSE-083E:A TR

رقم القطعة:: MT40A4G4FSE-083E:A TR

الصانع:: Micron Technology

وصف:: IC DRAM 16G PARALLEL 1.2GHZ

[LeadFreeStatus]未找到翻译: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

كمية:: 57934 Pieces

موعد التسليم:: 1-2 days

ورقة البيانات:: MT40A4G4FSE-083E:A TR.pdf

تحقيق

المقدمة

أفضل سعر MT40A4G4FSE-083E:A TR وسرعة التسليم.

BOSER Technology هو الموزع لـ MT40A4G4FSE-083E:A TR ، لدينا مخزون للشحن الفوري ومتوفر أيضًا لفترة طويلة. الرجاء إرسال خطة الشراء الخاصة بك للحصول على MT40A4G4FSE-083E:A TR عبر البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل سعر وفقًا لخطتك.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط	New and Original
الأصل	Contact us
موزع	Boser Technology
كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة:	-
الجهد - توريد:	1.14 V ~ 1.26 V
تكنولوجيا:	SDRAM - DDR4
سلسلة:	-
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
اسماء اخرى:	MT40A4G4FSE-083E:A TR-ND MT40A4G4FSE-083E:ATR
درجة حرارة التشغيل:	0°C ~ 95°C (TC)
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):	3 (168 Hours)
نوع الذاكرة:	Volatile
حجم الذاكرة:	16Gb (4G x 4)
واجهة الذاكرة:	Parallel
تنسيق الذاكرة:	DRAM
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
وصف تفصيلي:	SDRAM - DDR4 Memory IC 16Gb (4G x 4) Parallel 1.2GHz
تردد على مدار الساعة:	1.2GHz
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لMT40A4G4FSE-083E:A TR

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
MT40A2G4WE-083E:B TR	Micron Technology	IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA	تحقيق
MT40A4G4NRE-075E:B	Micron Technology	IC DRAM 16G PARALLEL 1.33GHZ	تحقيق
MT40A4G4NRE-075E:B TR	Micron Technology	IC DRAM 16G PARALLEL 78FBGA	تحقيق
MT40A4G4NRE-083E:B	Micron Technology	IC DRAM 16G PARALLEL 1.2GHZ	تحقيق
MT40A4G8KVA-083H:G	Micron Technology	IC DRAM 32G PARALLEL 1.2GHZ	تحقيق
MT40A2G4WE-075E:D TR	Micron Technology	IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ	تحقيق
MT40A2G8FSE-093E:A	Micron Technology	IC DRAM 16G PARALLEL 1067MHZ	تحقيق
MT40A4G4NRE-083E C:B	Micron Technology	IC DRAM 16G PARALLEL 78FBGA	تحقيق
MT40A2G8FSE-083E:A	Micron Technology	IC DRAM 16G PARALLEL 1.2GHZ	تحقيق
MT40A4G8KVA-083H:G TR	Micron Technology	IC DRAM 32G PARALLEL 1.2GHZ	تحقيق
MT40A2G8FSE-083E:A TR	Micron Technology	IC DRAM 16G PARALLEL 1.2GHZ	تحقيق
MT40A2G8NRE-083E:B	Micron Technology	IC DRAM 16G PARALLEL 1.2GHZ	تحقيق
MT40A2G4WE-083E:B	Micron Technology	IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ	تحقيق
MT40A2G8NRE-083E:B TR	Micron Technology	IC DRAM 16G PARALLEL 78FBGA	تحقيق
MT40A2G8FSE-093E:A TR	Micron Technology	IC DRAM 16G PARALLEL 78FBGA	تحقيق
MT40A4G4HPR-075H:G TR	Micron Technology	MEMORY DRAM	تحقيق
MT40A512M16HA-083E IT:A	Micron Technology	IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ	تحقيق
MT40A4G4HPR-075H:G	Micron Technology	MEMORY DRAM	تحقيق
MT40A4G4NRE-083E:B TR	Micron Technology	IC DRAM 16G PARALLEL 78FBGA	تحقيق
MT40A4G4FSE-083E:A	Micron Technology	IC DRAM 16G PARALLEL 1.2GHZ	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار