| شرط | New and Original |
|---|---|
| الأصل | Contact us |
| موزع | Boser Technology |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 1mA |
| فغس (ماكس): | ±30V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247-3 |
| سلسلة: | POWER MOS 8™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 210 mOhm @ 17A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 624W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 6640pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 165nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 600V 34A (Tc) 624W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 34A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APT34N80B2C3G | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX | تحقيق |
 |
APT35GA90B | Microsemi | IGBT 900V 63A 290W TO-247 | تحقيق |
|
APT34F60B | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 34A TO-247 | تحقيق |
 |
APT33N90JCCU3 | Microsemi | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | تحقيق |
 |
APT33N90JCU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | تحقيق |
 |
APT34F100L | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 35A TO264 | تحقيق |
|
APT35GA90BD15 | Microsemi | IGBT 900V 63A 290W TO247 | تحقيق |
|
APT34M60B | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 36A TO-247 | تحقيق |
|
APT35DL120HJ | Microsemi | DIODE MODULE 1.2KV SOT227 | تحقيق |
|
APT35GP120B2DQ2G | Microsemi | IGBT 1200V 96A 543W TMAX | تحقيق |
|
APT33N90JCCU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | تحقيق |
|
APT35GN120BG | Microsemi | IGBT 1200V 94A 379W TO247 | تحقيق |
|
APT33GF120BRG | Microsemi | IGBT 1200V 52A 297W TO247 | تحقيق |
|
APT34M120J | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 34A SOT-227 | تحقيق |
|
APT33N90JCU3 | Microsemi | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | تحقيق |
|
APT35GN120L2DQ2G | Microsemi | IGBT 1200V 94A 379W TO264 | تحقيق |
|
APT34N80LC3G | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 34A TO-264 | تحقيق |
|
APT34F100B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX | تحقيق |
|
APT33GF120B2RDQ2G | Microsemi | IGBT 1200V 64A 357W TMAX | تحقيق |
|
APT33GF120LRDQ2G | Microsemi | IGBT 1200V 64A 357W TO264 | تحقيق |