| Điều kiện | New and Original |
|---|---|
| Gốc | Contact us |
| Nhà phân phối | Boser Technology |
| Điện áp - Kiểm tra: | - |
| Voltage - Breakdown: | 8-TSSOP |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 8.5 mOhm @ 9.5A, 4.5V |
| Vgs (Tối đa): | 1.8V, 4.5V |
| Công nghệ: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Loạt: | TrenchFET® |
| Tình trạng RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (Max) @ Id, VGS: | 8.2A (Ta) |
| sự phân cực: | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Vài cái tên khác: | SI6423DQ-T1-GE3TR SI6423DQT1GE3 |
| Nhiệt độ hoạt động: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| gắn Loại: | Surface Mount |
| Mức độ nhạy ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Thời gian chuẩn của nhà sản xuất: | 15 Weeks |
| Số phần của nhà sản xuất: | SI6423DQ-T1-GE3 |
| Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds: | 110nC @ 5V |
| Loại IGBT: | ±8V |
| Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs: | 800mV @ 400µA |
| FET Feature: | P-Channel |
| Mô tả mở rộng: | P-Channel 12V 8.2A (Ta) 1.05W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP |
| Xả để nguồn điện áp (Vdss): | - |
| Sự miêu tả: | MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP |
| Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C: | 12V |
| Tỷ lệ điện dung: | 1.05W (Ta) |
| Email: | [email protected] |
