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UnitedSiC推出開爾文接觸式碳化矽mosfets

UltraSiC-Kelvin-contact SiC mosfet

它們採用TO-247-4L封裝,提供650V和1.2kV版本。

該公司表示:“開爾文(Kelvin)封裝避免了柵極振鈴和錯誤觸發,否則會降低開關速度,以管理三引線封裝的大型共源電感。”

預計將在圖騰柱PFC級,LLC和移相全橋轉換器中應用-EV充電器,電信電源和服務器中。

其中的設備是共源共柵對-柵極驅動器連接至低壓矽MOSFET,該晶體管控制耗盡型高壓碳化矽FET。

“與其他寬帶隙技術相比,SiC共源共柵器件提供標準的12V柵極驅動,並具有100%經過生產測試的雪崩額定值,” UltraSiC說。

範圍包括:

  • UF3C120040K4S(1.2kV40mΩ)
  • UF3C120080K4S(1.2kV80mΩ)
  • UF3C065030K4S(650V30mΩ)
  • UF3C065040K4S(650V40mΩ)
  • UF3C065080K4S(650V80mΩ)