它們採用TO-247-4L封裝,提供650V和1.2kV版本。
該公司表示:“開爾文(Kelvin)封裝避免了柵極振鈴和錯誤觸發,否則會降低開關速度,以管理三引線封裝的大型共源電感。”
預計將在圖騰柱PFC級,LLC和移相全橋轉換器中應用-EV充電器,電信電源和服務器中。
其中的設備是共源共柵對-柵極驅動器連接至低壓矽MOSFET,該晶體管控制耗盡型高壓碳化矽FET。
“與其他寬帶隙技術相比,SiC共源共柵器件提供標準的12V柵極驅動,並具有100%經過生產測試的雪崩額定值,” UltraSiC說。
範圍包括: