NGTG35N65FL2WG
NGTG35N65FL2WG
型號:
NGTG35N65FL2WG
製造商:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
描述:
IGBT 650V 60A 167W TO247
[LeadFreeStatus]未找到翻译
無鉛/符合RoHS
數量:
51749 Pieces
發貨時間:
1-2 days
數據表:
NGTG35N65FL2WG.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New and Original
來源 Contact us
分銷商 Boser Technology
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):650V
的VCE(on)(最大)@ VGE,IC:2V @ 15V, 35A
測試條件:400V, 35A, 10 Ohm, 15V
Td(開/關)@ 25°C:72ns/132ns
開關能量:840µJ (on), 280µJ (off)
供應商設備封裝:TO-247-3
系列:-
功率 - 最大:300W
封装:Tube
封裝/箱體:TO-247-3
其他名稱:NGTG35N65FL2WGOS
工作溫度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型:Through Hole
濕度敏感度等級(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:9 Weeks
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入類型:Standard
IGBT類型:Field Stop
柵極電荷:125nC
詳細說明:IGBT Field Stop 650V 70A 300W Through Hole TO-247-3
電流 - 集電極脈衝(ICM):120A
電流 - 集電極(Ic)(最大):70A
Email:[email protected]

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