Line Card

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- Winbond Electronics Corporation เป็น บริษัท ด้านหน่วยความจำ IC ที่ดำเนินธุรกิจด้านการออกแบบการผลิตและการขายเพื่อให้บริการโซลูชั่นหน่วยความจำคุณภาพระดับโลก สายผลิตภัณฑ์ของ Winbond ประกอบด้วยหน่วยความจำแฟลชที่เก็บข้อมูล, NAND แบบขนานและขนาน, DRAM พิเศษและ Mobile DRAM
ผลิตภัณฑ์ Winbond ใช้กันอย่างแพร่หลายโดย บริษัท ในตลาดแนวตั้งของ IoT เช่นคอมพิวเตอร์อุปกรณ์เชื่อมต่อมัลติมีเดียรถยนต์ระบบเครือข่ายและอุตสาหกรรม Winbond นำเสนอผลิตภัณฑ์ Flash และ DRAM สำหรับอุตสาหกรรมยานยนต์และอุตสาหกรรมโดยมีการสนับสนุนระยะยาว Winbond มีพนักงานประมาณ 2,200 คนทั่วโลกซึ่งประกอบด้วย FAB ขนาด 12 นิ้วที่สำนักงานใหญ่ในเมืองไทจงประเทศไต้หวัน
ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ลักษณะ ดู
W25Q80EWZPIG IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8WSON การสอบสวน
W25X20VSNIG T&R IC FLASH 2M SPI 75MHZ 8SOIC การสอบสวน
W631GG6KB12I TR Image W631GG6KB12I TR IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA การสอบสวน
W29GL128PH9B TR IC FLASH 128M PARALLEL 64LFBGA การสอบสวน
W25Q64FVZPIQ IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8WSON การสอบสวน
W25Q64DWSSIG IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8SOIC การสอบสวน
W39V040FAPZ IC FLASH 4M PARALLEL 32PLCC การสอบสวน
W25Q40CLSSIG TR IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC การสอบสวน
W631GG6KB15J IC SDRAM 1GBIT 96BGA การสอบสวน
W25Q32JVZPIQ TR IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8WSON การสอบสวน
W631GG6MB-15 Image W631GG6MB-15 IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA การสอบสวน
W25Q32JVZPIQ IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8WSON การสอบสวน
W632GU8MB-15 Image W632GU8MB-15 IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ การสอบสวน
W29GL256SH9B Image W29GL256SH9B IC FLASH 256M PARALLEL 64LFBGA การสอบสวน
W9825G2JB-6 TR Image W9825G2JB-6 TR IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA การสอบสวน
W25Q40EWSSIG TR IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC การสอบสวน
W971GG8SB-25 Image W971GG8SB-25 IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA การสอบสวน
W632GG8KB15I Image W632GG8KB15I IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA การสอบสวน
W971GG6KB25I TR Image W971GG6KB25I TR IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA การสอบสวน
W25Q40BWSNIG TR IC FLASH 4M SPI 80MHZ 8SOIC การสอบสวน
W632GG6MB15I Image W632GG6MB15I IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ การสอบสวน
W25Q16DVZPIQ IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8WSON การสอบสวน
W9864G6KH-5 TR Image W9864G6KH-5 TR IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP การสอบสวน
W29GL128PH9T TR IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP การสอบสวน
W25Q32FWSSIQ TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC การสอบสวน
W25Q80DVZPIG IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8WSON การสอบสวน
W971GG8SB25I TR Image W971GG8SB25I TR IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA การสอบสวน
W25Q64FVSF00 IC FLASH 64M SPI 104MHZ 16SOIC การสอบสวน
W971GG6KB-18 TR Image W971GG6KB-18 TR IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA การสอบสวน
W25N01GVZEIT TR IC FLASH 1G SPI 104MHZ 8WSON การสอบสวน
W632GU6KB11I Image W632GU6KB11I IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ การสอบสวน
W24257S-70LL T/R Image W24257S-70LL T/R IC SRAM 256K PARALLEL 28SO การสอบสวน
W25Q16DVSSJP IC FLASH MEMORY 16MB การสอบสวน
W25Q128FVEIQ IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON การสอบสวน
W25Q128FVPIQ IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON การสอบสวน
W9864G6JT-6 Image W9864G6JT-6 IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA การสอบสวน
W25Q64CVTBIG TR IC FLASH MEMORY 64MB การสอบสวน
W9464G6KH-5 TR Image W9464G6KH-5 TR IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II การสอบสวน
W9825G6KH-6I TR Image W9825G6KH-6I TR IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP การสอบสวน
W988D2FBJX6I Image W988D2FBJX6I IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA การสอบสวน
W25Q32FWBYIQ TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 12WLCSP การสอบสวน
W25Q32FWSFIG IC FLASH 32M SPI 104MHZ 16SOIC การสอบสวน
W25Q64JVZEIQ TR IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8WSON การสอบสวน
W25Q40BWSVIG TR IC FLASH 4M SPI 80MHZ 8VSOP การสอบสวน
W632GU6AB-12 IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ การสอบสวน
W949D6DBHX5E Image W949D6DBHX5E IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA การสอบสวน
W9425G6JB-5 Image W9425G6JB-5 IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA การสอบสวน
W94AD2KBJX5E Image W94AD2KBJX5E IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA การสอบสวน
W29GL032CB7B Image W29GL032CB7B IC FLASH 32M PARALLEL 64LFBGA การสอบสวน
W29GL256SL9T Image W29GL256SL9T IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP การสอบสวน
ประวัติ 1,271
ก่อน123456789101112131415ต่อไปปลาย