SUP85N10-10-GE3
SUP85N10-10-GE3
รุ่นผลิตภัณฑ์:
SUP85N10-10-GE3
ผู้ผลิต:
Electro-Films (EFI) / Vishay
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
[LeadFreeStatus]未找到翻译
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
จำนวน:
57123 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
แผ่นข้อมูล:
1.SUP85N10-10-GE3.pdf2.SUP85N10-10-GE3.pdf

บทนำ

SUP85N10-10-GE3 ราคาที่ดีที่สุดและจัดส่งที่รวดเร็ว
BOSER Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายสำหรับ SUP85N10-10-GE3 เรามีสต็อคสำหรับจัดส่งได้ทันทีและยังมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานาน โปรดส่งแผนซื้อของคุณสำหรับ SUP85N10-10-GE3 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New and Original
ที่มา Contact us
ผู้จัดจำหน่าย Boser Technology
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (สูงสุด):±20V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-220AB
ชุด:TrenchFET®
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:10.5 mOhm @ 30A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):3.75W (Ta), 250W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-220-3
ชื่ออื่น:SUP85N10-10-GE3-ND
SUP85N10-10-GE3TR
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:33 Weeks
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:6550pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:160nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):100V
คำอธิบายโดยละเอียด:N-Channel 100V 85A (Tc) 3.75W (Ta), 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:85A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ข่าว Latest