DTA114ECAT116
DTA114ECAT116
รุ่นผลิตภัณฑ์:
DTA114ECAT116
ผู้ผลิต:
LAPIS Semiconductor
ลักษณะ:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SST3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
จำนวน:
37088 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
แผ่นข้อมูล:
1.DTA114ECAT116.pdf2.DTA114ECAT116.pdf

บทนำ

DTA114ECAT116 ราคาที่ดีที่สุดและจัดส่งที่รวดเร็ว
BOSER Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายสำหรับ DTA114ECAT116 เรามีสต็อคสำหรับจัดส่งได้ทันทีและยังมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานาน โปรดส่งแผนซื้อของคุณสำหรับ DTA114ECAT116 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New and Original
ที่มา Contact us
ผู้จัดจำหน่าย Boser Technology
แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):50V
VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA
ประเภททรานซิสเตอร์:PNP - Pre-Biased
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:SST3
ชุด:-
ตัวต้านทาน - ฐาน emitter (R2):10 kOhms
ตัวต้านทาน - ฐาน (R1):10 kOhms
เพาเวอร์ - แม็กซ์:200mW
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:10 Weeks
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
ความถี่ - การเปลี่ยน:250MHz
คำอธิบายโดยละเอียด:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 50mA 250MHz 200mW Surface Mount SST3
DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE:30 @ 5mA, 5V
ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด):500nA
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):50mA
หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน:DTA114
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ข่าว Latest