SIRA00DP-T1-RE3
Тип продуктов:
SIRA00DP-T1-RE3
производитель:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Описание:
MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO
Количество:
55922 Pieces
Срок поставки:
1-2 days
Техническая спецификация:
SIRA00DP-T1-RE3.pdf

Введение

SIRA00DP-T1-RE3 лучшая цена и быстрая доставка.
BOSER Technology является дистрибьютором SIRA00DP-T1-RE3, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительной поставки. Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для SIRA00DP-T1-RE3 по электронной почте, мы предложим вам лучшую цену согласно вашему плану.
Наш электронный адрес: [email protected]

Спецификация

Состояние New and Original
происхождения Contact us
дистрибьютор Boser Technology
Vgs (й) (Max) @ Id:2.2V @ 250µA
Vgs (макс.):+20V, -16V
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства:PowerPAK® SO-8
Серии:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1 mOhm @ 20A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс):104W (Tc)
упаковка:Tape & Reel (TR)
Упаковка /:PowerPAK® SO-8
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Surface Mount
Стандартное время изготовления:32 Weeks
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:11700pF @ 15V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:220nC @ 10V
Тип FET:N-Channel
FET Характеристика:-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS):30V
Подробное описание:N-Channel 30V 100A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Latest Новости