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UnitedSiC apresenta mosfets de carboneto de silício de contato Kelvin

UltraSiC-Kelvin-contact SiC mosfet

Disponível nas versões 650V e 1.2kV, eles vêm em um pacote TO-247-4L.

"O pacote Kelvin evita o toque de porta e o acionamento falso, o que exigiria a redução da velocidade de comutação para gerenciar a grande indutância comum de fontes de pacotes com três pontas", disse a empresa, que acrescentou que os pacotes operam até 175 ° C.

As aplicações estão previstas nos estágios de PFC de totem, LLC e conversores de ponte completa com mudança de fase - em carregadores EV, energia de telecomunicações e servidores.

Os dispositivos são pares de códigos de cas - com acionamento por gate indo para um mosfet de silício de baixa tensão, que controla um feto de carboneto de silício de alta tensão e modo de depleção.

“Comparados com outras tecnologias de gap largo de banda, os dispositivos de código cas SiC oferecem acionamento de portão padrão de 12V e têm 100% de classificações de avalanche testadas na produção”, disse UltraSiC.

A gama inclui:

  • UF3C120040K4S (1,2kV 40mΩ)
  • UF3C120080K4S (1.2kV 80mΩ)
  • UF3C065030K4S (650V 30mΩ)
  • UF3C065040K4S (650V 40mΩ)
  • UF3C065080K4S (650V 80mΩ)