SIRA00DP-T1-RE3
Modelo do Produto:
SIRA00DP-T1-RE3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO
Quantidade:
55922 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
SIRA00DP-T1-RE3.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:2.2V @ 250µA
Vgs (Max):+20V, -16V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PowerPAK® SO-8
Série:TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:1 mOhm @ 20A, 10V
Dissipação de energia (Max):104W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:PowerPAK® SO-8
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Tempo de entrega padrão do fabricante:32 Weeks
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:11700pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:220nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:N-Channel 30V 100A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

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