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IRFD024PBF
- 제품 모델:
- IRFD024PBF
- 기술:
- MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP
- [LeadFreeStatus]未找到翻译
- 무연 / RoHS 준수
- 수량:
- 40163 Pieces
- 배달 시간:
- 1-2 days
- 데이터 시트:
- IRFD024PBF.pdf
소개
우리의 이메일 : [email protected]
규격
| 조건 | New and Original |
|---|---|
| 유래 | Contact us |
| 살수 장치 | Boser Technology |
| 아이디 @ VGS (일) (최대): | 4V @ 250µA |
| Vgs (최대): | ±20V |
| 과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지: | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| 연속: | - |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 100 mOhm @ 1.5A, 10V |
| 전력 소비 (최대): | 1.3W (Ta) |
| 포장: | Tube |
| 패키지 / 케이스: | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| 다른 이름들: | *IRFD024PBF |
| 작동 온도: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 실장 형: | Through Hole |
| 수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임: | 16 Weeks |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 640pF @ 25V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 25nC @ 10V |
| FET 유형: | N-Channel |
| FET 특징: | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): | 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss): | 60V |
| 상세 설명: | N-Channel 60V 2.5A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 2.5A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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