S12JR
Modello di prodotti:
S12JR
fabbricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrizione:
DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
62242 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
1.S12JR.pdf2.S12JR.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - Picco inversa (max):Standard, Reverse Polarity
Tensione - diretta (Vf) (max) a If:12A
Tensione - Ripartizione:DO-4
Serie:-
Stato RoHS:Bulk
Tempo di ripristino inverso (trr):Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Resistenza a If, F:-
Polarizzazione:DO-203AA, DO-4, Stud
Altri nomi:S12JRGN
Tipo montaggio:Chassis, Stud Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
codice articolo del costruttore:S12JR
Descrizione espansione:Diode Standard, Reverse Polarity 600V 12A Chassis, Stud Mount DO-4
Configurazione diodo:10µA @ 50V
Descrizione:DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4
Corrente - Dispersione inversa a Vr:1.1V @ 12A
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo):600V
Capacità a Vr, F:-65°C ~ 175°C
Email:[email protected]

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