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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-RF > 2735GN-100M
2735GN-100M
Modello di prodotti:
2735GN-100M
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
FETS RF GAN 150V 2.7-3.5GHZ 55QP
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
52370 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
2735GN-100M.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - nominale:150V
Tensione - uscita:110W
Tensione - Ripartizione:55QP
Serie:-
Stato RoHS:Bulk
Polarizzazione:55QP
Figura di rumore:60V
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:2735GN-100M
Frequenza:2.7GHz ~ 3.5GHz
Tipo FET:11dB ~ 11.4dB
Descrizione espansione:RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) Common Source 60V 250mA 2.7GHz ~ 3.5GHz 11dB ~ 11.4dB 110W 55QP
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):250mA
Descrizione:FETS RF GAN 150V 2.7-3.5GHZ 55QP
Valutazione attuale:2.5mA
Corrente - Test:-
Corrente - collettore (Ic) (max):2 N-Channel (Dual) Common Source
Email:[email protected]

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