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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Diodi-Zener-singolo > 1N5226B-G
1N5226B-G
Modello di prodotti:
1N5226B-G
fabbricante:
Comchip Technology
Descrizione:
DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
39148 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
1N5226B-G.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - Isolamento:28 Ohm
Tensione - Ripartizione:DO-35
Serie:-
Stato RoHS:Tape & Box (TB)
Potenza - Max:500mW
Polarizzazione:DO-204AH, DO-35, Axial
temperatura di esercizio:-
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:1N5226B-G
Impedenza (Max) (zzt):3.3V
Descrizione espansione:Zener Diode 500mW ±5% Through Hole DO-35
ESR (Resistenza in serie equivalente):±5%
Configurazione diodo:25µA @ 1V
Descrizione:DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35
Corrente - Dispersione inversa a Vr:1.1V @ 200mA
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
1N5226B BK Image 1N5226B BK Central Semiconductor DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 Inchiesta
1N5225C-TAP Image 1N5225C-TAP Electro-Films (EFI) / Vishay DIODE ZENER 3V 500MW DO35 Inchiesta
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1N5226A (DO-35) Image 1N5226A (DO-35) Microsemi DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 Inchiesta
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1N5226BE3 Microsemi ZENER DIODES Inchiesta
1N5226B_S00Z Image 1N5226B_S00Z AMI Semiconductor / ON Semiconductor DIODE ZENER 3.3V 500MW 5% DO-35 Inchiesta
1N5226B-TR Image 1N5226B-TR Electro-Films (EFI) / Vishay DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 Inchiesta
1N5226B-T Image 1N5226B-T Diodes Incorporated DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 Inchiesta
1N5226B Image 1N5226B AMI Semiconductor / ON Semiconductor DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 Inchiesta

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