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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - IGBT - Modules > APTGT150DA120D1G
APTGT150DA120D1G
Modèle de produit:
APTGT150DA120D1G
Fabricant:
Microsemi
La description:
IGBT 1200V 220A 700W D1
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
73967 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
APTGT150DA120D1G.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:2.1V @ 15V, 150A
Package composant fournisseur:D1
Séries:-
Puissance - Max:700W
Package / Boîte:D1
Température de fonctionnement:-
NTC thermistance:No
Type de montage:Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:10.8nF @ 25V
Contribution:Standard
type de IGBT:Trench Field Stop
Description détaillée:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 220A 700W Chassis Mount D1
Courant - Collecteur Cutoff (Max):4mA
Courant - Collecteur (Ic) (max):220A
Configuration:Single
Email:[email protected]

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