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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - RF > 2735GN-100M
2735GN-100M
Modèle de produit:
2735GN-100M
Fabricant:
Microsemi
La description:
FETS RF GAN 150V 2.7-3.5GHZ 55QP
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
52370 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
2735GN-100M.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Nominale:150V
Tension - Sortie:110W
Tension - Ventilation:55QP
Séries:-
État RoHS:Bulk
Polarisation:55QP
Noise Figure:60V
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:2735GN-100M
La fréquence:2.7GHz ~ 3.5GHz
type de FET:11dB ~ 11.4dB
Description élargie:RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) Common Source 60V 250mA 2.7GHz ~ 3.5GHz 11dB ~ 11.4dB 110W 55QP
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):250mA
La description:FETS RF GAN 150V 2.7-3.5GHZ 55QP
Note actuelle:2.5mA
Courant - Test:-
Courant - Collecteur (Ic) (max):2 N-Channel (Dual) Common Source
Email:[email protected]

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