NGTG35N65FL2WG
NGTG35N65FL2WG
Osa numero:
NGTG35N65FL2WG
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
IGBT 650V 60A 167W TO247
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Määrä:
51749 Pieces
Toimitusaika:
1-2 days
Tietolomake:
NGTG35N65FL2WG.pdf

esittely

NGTG35N65FL2WG paras hinta ja nopea toimitus.
BOSER Technology on NGTG35N65FL2WG: n jakelija, meillä on varastot välitöntä toimitusta varten ja saatavilla myös pitkään. Lähetä meille NGTG35N65FL2WG: n ostosuunnitelma sähköpostitse, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Sähköpostiosoitteemme: [email protected]

tekniset tiedot

Kunto New and Original
alkuperä Contact us
Jakelija Boser Technology
Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):650V
Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic:2V @ 15V, 35A
Testaa kunto:400V, 35A, 10 Ohm, 15V
Td (päällä / pois) @ 25 ° C:72ns/132ns
Switching Energy:840µJ (on), 280µJ (off)
Toimittaja Device Package:TO-247-3
Sarja:-
Virta - Max:300W
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-247-3
Muut nimet:NGTG35N65FL2WGOS
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:9 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila:Lead free / RoHS Compliant
Syötetyyppi:Standard
IGBT Tyyppi:Field Stop
Gate Charge:125nC
Yksityiskohtainen kuvaus:IGBT Field Stop 650V 70A 300W Through Hole TO-247-3
Nykyinen - Collector Pulssi (ICM):120A
Nykyinen - Collector (le) (Max):70A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit