| Kunto | New and Original |
|---|---|
| alkuperä | Contact us |
| Jakelija | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.35V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | DIRECTFET™ MP |
| Sarja: | HEXFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 7.7 mOhm @ 14A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 2.3W (Ta), 42W (Tc) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | DirectFET™ Isometric MP |
| Muut nimet: | IRF6637 IRF6637-ND IRF6637TR1-ND IRF6637TR1TR SP001523990 |
| Käyttölämpötila: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1330pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 17nC @ 4.5V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | N-Channel 30V 14A (Ta), 59A (Tc) 2.3W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MP |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 14A (Ta), 59A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
