| Kunto | New and Original |
|---|---|
| alkuperä | Contact us |
| Jakelija | Boser Technology |
| Jännite - Testi: | 5400pF @ 25V |
| Jännite - Breakdown: | TO-3PN |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 28 mOhm @ 35A, 10V |
| Vgs (Max): | 10V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Sarja: | QFET® |
| RoHS-tila: | Tube |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 70A (Tc) |
| Polarisaatio: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 12 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | FQA70N15 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 175nC @ 10V |
| IGBT Tyyppi: | ±25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 4V @ 250µA |
| FET Ominaisuus: | N-Channel |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 150V 70A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-3PN |
| Valua lähde jännite (Vdss): | - |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 150V 70A TO-3P |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 150V |
| kapasitanssi Ratio: | 330W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
