RFN10B3STL
RFN10B3STL
Número de pieza:
RFN10B3STL
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
DIODE GEN PURP 350V 10A CPD
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
49766 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
RFN10B3STL.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensión - inversa de pico (máxima):Standard
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:10A
Tensión - Desglose:CPD
Serie:-
Estado RoHS:Tape & Reel (TR)
Tiempo de recuperación inversa (trr):Fast Recovery = 200mA (Io)
Resistencia @ Si, F:-
Polarización:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:RFN10B3STLTR
Temperatura de funcionamiento - Junction:30ns
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:RFN10B3STL
Descripción ampliada:Diode Standard 350V 10A Surface Mount CPD
configuración de diodo:10µA @ 350V
Descripción:DIODE GEN PURP 350V 10A CPD
Corriente - Fuga inversa a Vr:1.5V @ 10A
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode):350V
Capacitancia Vr, F:150°C (Max)
Email:[email protected]

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