APT66F60B2
APT66F60B2
Número de pieza:
APT66F60B2
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 70A TO-247
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
32681 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
APT66F60B2.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:5V @ 2.5mA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:T-MAX™ [B2]
Serie:POWER MOS 8™
RDS (Max) @Id, Vgs:90 mOhm @ 33A, 10V
La disipación de energía (máximo):1135W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-247-3 Variant
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:13190pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:330nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción detallada:N-Channel 600V 70A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:70A (Tc)
Email:[email protected]

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