AON6200L
AON6200L
Número de pieza:
AON6200L
Fabricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 13A 8DFN
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
66509 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
AON6200L.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:2.4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-DFN (5x6)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:7.8 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo):1.95W (Ta), 35W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerSMD, Flat Leads
Otros nombres:785-1397-2
AON6200
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1300pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:20nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción detallada:N-Channel 30V 13A (Ta), 24A (Tc) 1.95W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:13A (Ta), 24A (Tc)
Email:[email protected]

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