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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-RF > 2735GN-100M
2735GN-100M
Número de pieza:
2735GN-100M
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
FETS RF GAN 150V 2.7-3.5GHZ 55QP
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
52370 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
2735GN-100M.pdf
Investigación

Introducción

2735GN-100M mejor precio y entrega rápida.
BOSER Technology es el distribuidor de 2735GN-100M, tenemos las existencias para envío inmediato y también estamos disponibles para el suministro a largo plazo. Envíenos su plan de compra para 2735GN-100M por correo electrónico, le daremos un mejor precio de acuerdo con su plan.
Nuestro correo electrónico: [email protected]

Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensión - Calificación:150V
Salida de voltaje -:110W
Tensión - Desglose:55QP
Serie:-
Estado RoHS:Bulk
Polarización:55QP
Figura de ruido:60V
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:2735GN-100M
Frecuencia:2.7GHz ~ 3.5GHz
Tipo FET:11dB ~ 11.4dB
Descripción ampliada:RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) Common Source 60V 250mA 2.7GHz ~ 3.5GHz 11dB ~ 11.4dB 110W 55QP
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):250mA
Descripción:FETS RF GAN 150V 2.7-3.5GHZ 55QP
Valoración actual:2.5mA
Corriente - Prueba:-
Corriente - colector (Ic) (Max):2 N-Channel (Dual) Common Source
Email:[email protected]

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