| Şart | New and Original |
|---|---|
| Menşei | Contact us |
| Distribütör | Boser Technology |
| Gerilim - Deney: | 1460pF @ 15V |
| Gerilim - Arıza: | DIRECTFET™ SQ |
| Id @ Vgs (th) (Max): | 9.1 mOhm @ 12A, 10V |
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dizi: | HEXFET® |
| RoHS Durumu: | Tape & Reel (TR) |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 12A (Ta), 55A (Tc) |
| polarizasyon: | DirectFET™ Isometric SQ |
| Diğer isimler: | IRF6621 IRF6621-ND SP001524780 |
| Çalışma sıcaklığı: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Duyarlılığı Seviyesi (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Üretici parti numarası: | IRF6621TR1 |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 17.5nC @ 4.5V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 2.25V @ 250µA |
| FET Özelliği: | N-Channel |
| Genişletilmiş Açıklama: | N-Channel 30V 12A (Ta), 55A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | - |
| Açıklama: | MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 30V |
| kapasitans Oranı: | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
