1N8028-GA
1N8028-GA
Modelo do Produto:
1N8028-GA
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrição:
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Contém chumbo / RoHS não compatível
Quantidade:
33159 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
1N8028-GA.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensão - Pico Reversa (Max):Silicon Carbide Schottky
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se:9.4A (DC)
Tensão - Breakdown:TO-257
Série:-
Status de RoHS:Tube
Inversa de tempo de recuperação (trr):No Recovery Time > 500mA (Io)
Resistência @ Se, F:884pF @ 1V, 1MHz
Polarização:TO-257-3
Outros nomes:1242-1115
1N8028GA
Temperatura de Operação - Junção:0ns
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:18 Weeks
Número de peça do fabricante:1N8028-GA
Descrição expandida:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 9.4A (DC) Through Hole TO-257
configuração de diodo:20µA @ 1200V
Descrição:DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257
Atual - dispersão reversa @ Vr:1.6V @ 10A
Atual - rectificada média (Io) (por Diode):1200V (1.2kV)
Capacitância @ Vr, F:-55°C ~ 250°C
Email:[email protected]

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