| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Tensione - Picco inversa (max): | Silicon Carbide Schottky |
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If: | 10A (DC) |
| Tensione - Ripartizione: | PG-TO247-3 |
| Serie: | thinQ!™ |
| Stato RoHS: | Tube |
| Tempo di ripristino inverso (trr): | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Resistenza a If, F: | 300pF @ 1V, 1MHz |
| Polarizzazione: | TO-247-3 |
| Altri nomi: | IDW10G65C5 IDW10G65C5-ND SP000937038 |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione: | 0ns |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IDW10G65C5FKSA1 |
| Descrizione espansione: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 10A (DC) Through Hole PG-TO247-3 |
| Configurazione diodo: | 400µA @ 650V |
| Descrizione: | DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO247-3 |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr: | 1.7V @ 10A |
| Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo): | 650V |
| Capacità a Vr, F: | -55°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
