APT12067B2FLLG
APT12067B2FLLG
Modello di prodotti:
APT12067B2FLLG
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
51227 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
APT12067B2FLLG.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - Prova:4420pF @ 25V
Tensione - Ripartizione:T-MAX™ [B2]
Vgs (th) (max) a Id:670 mOhm @ 9A, 10V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Serie:POWER MOS 7®
Stato RoHS:Tube
Rds On (max) a Id, Vgs:18A (Tc)
Polarizzazione:TO-247-3 Variant
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:APT12067B2FLLG
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:150nC @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:5V @ 2.5mA
Caratteristica FET:N-Channel
Descrizione espansione:N-Channel 1200V (1.2kV) 18A (Tc) 565W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Tensione drain-source (Vdss):-
Descrizione:MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:1200V (1.2kV)
rapporto di capacità:565W (Tc)
Email:[email protected]

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