| Condición | New and Original |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| Tensión - inversa de pico (máxima): | Silicon Carbide Schottky |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 10A (DC) |
| Tensión - Desglose: | TO-252-2L (DPAK) |
| Serie: | Amp+™ |
| Estado RoHS: | Tube |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Resistencia @ Si, F: | 635pF @ 1V, 1MHz |
| Polarización: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Otros nombres: | 1560-1045-5 |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | 0ns |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 4 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | GP2D010A120C |
| Descripción ampliada: | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 10A (DC) Surface Mount TO-252-2L (DPAK) |
| configuración de diodo: | 20µA @ 1200V |
| Descripción: | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252-2 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 1.8V @ 10A |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode): | 1200V (1.2kV) |
| Capacitancia Vr, F: | -55°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
