FCPF11N60NT
FCPF11N60NT
Número de pieza:
FCPF11N60NT
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220F
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
61600 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
FCPF11N60NT.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
Voltaje - Prueba:1505pF @ 100V
Tensión - Desglose:TO-220F
VGS (th) (Max) @Id:299 mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs (Max):10V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Serie:SuperMOS™
Estado RoHS:Tube
RDS (Max) @Id, Vgs:10.8A (Tc)
Polarización:TO-220-3 Full Pack
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:6 Weeks
Número de pieza del fabricante:FCPF11N60NT
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:35.6nC @ 10V
Tipo de IGBT:±30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:4V @ 250µA
Característica de FET:N-Channel
Descripción ampliada:N-Channel 600V 10.8A (Tc) 32.1W (Tc) Through Hole TO-220F
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:-
Descripción:MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220F
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:600V
relación de capacidades:32.1W (Tc)
Email:[email protected]

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